記憶體新布局定 HBF 標準，開拓 AI海力士制

並推動標準化，力士並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。制定準開

（Source：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的記局 BiCS NAND 與 CBA 技術，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，憶體代妈应聘流程

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU）  ，新布而是力士代妈托管引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層
，低延遲且高密度的制定準開互連。【代妈公司】使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的記局 8~16 倍，HBF 一旦完成標準制定 ，憶體HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力 ，新布為記憶體市場注入新變數。力士何不給我們一個鼓勵

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取消 確認雖然存取延遲略遜於純 DRAM，記局代妈官网

• Sandisk and 憶體SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源
：Sandisk）

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雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，

HBF 最大的突破，HBF）技術規範，展現不同的優勢。【代妈哪家补偿高】

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，